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《窄禁带半导体物理学》
窄禁带半导体物理学
作者:褚君浩
译者:
开本:
ISBN:703014414
出版社:科学出版社
出版日期:2005-04-01 0
装帧:
书夫曼编号:660894
原价: 120
普通会员:112.2  一星会员:108.83
二星会员:106.59  三星会员:104.35

内容简介
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质,包括晶体生长,能带结构,光学性质,晶格振动,自由载流子的激发、运输和复合,杂质缺陷,表面界面,二维电子气,超晶格和量子阱,器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。
本书可供从事红外物理与技术研究的科技人员参考,也可供从事固体物理、半导体物理研究和教学的教师以及相关专业的研究生参考。

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目录

前言
第一章概述
第二章晶体
第三章能带结构
第四章光学性质
第五章输运性质
第六章晶格振动
第七章杂质缺陷
第八章复合
第九章表面二维电子气
第十章超晶格和量子阱
第十一章器件物理
附录A 不同组分的HG1-CD Te的物理量关系表
附录B 简要公式


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